スイッチング電源やインバータなど、現在のパワーエレクトロニクスに用いられるスイッチ素子としてMOSFETは欠かせないデバイスになっています。また、MOSFETの性能の進化は非常に早く、そこにはトレンチゲート、スーパージャンクション等々多くの要素技術が用いられており、利用する側の回路設計者には分かりづらいといった声が聞かれます。一方、従来から半導体材料として用いられてきたシリコンに代わり、SiCやGaNなどのいわゆる次世代半導体と呼ばれる材料が実用化され、さらに複雑さを増しています。

MOSFETには数十Vの低耐圧のものから千Vを超える高耐圧のものまでありますが原理は同じです。しかしながら、そこで利用される要素技術が異なるため、結果的に低耐圧と高耐圧では異なる進化をしてきており、これらの要素技術については言葉としては聞いたことがあってもイメージがしづらいものです。

本セミナーでは、半導体の専門家ではない人がこれらの要素技術をイメージできることを目的に、MOSFETの動作原理にひもづけて解説します。さまざまな要素技術にどのような効果があるのかを理解することで、カタログや仕様書の見るべきところを把握し、適切な部品選定の手助けになればと思います。併せて、次世代半導体の導入のきっかけとなった「理論限界」についても言及します。

開催概要

配信期間

2024年5月27日(月)23:59迄

形式

オンデマンド配信セミナー

参加費

無料

主催

新電元工業株式会社

※競合企業および個人事業主の方、もしくは対象外と判断させていただいた方は、ご遠慮いただく場合がございます。